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白光LED燈珠的幾種光的損失

時間:2018-10-30 22:55??來源:未知??作者:admin??點擊:
白光LED燈珠在生活中有廣泛的應(yīng)用,但是白光LED燈珠的光衰減也是最嚴重的LED燈珠之一,下面,藍晉光電將為大家介紹一下白光LED燈珠的幾種光的損失。
原因一、白光的產(chǎn)生和顯色指數(shù)的提高
藍光芯片與熒光粉是商品化白光LED的主要產(chǎn)生方式,圖1是藍光芯片與YAG:Ce3+熒光粉組合制作的白光LED的光譜,從白光的光譜圖上可以看出,熒光粉光致發(fā)光的發(fā)射譜在整個可見光波段都有分布,峰值位于人眼視覺曲線的峰值附近。因此這種方法制作的白光LED發(fā)光效率(流明效率)較高,顯色指數(shù)可以達到70以上,與傳統(tǒng)的日光燈接近,能夠滿足普通的照明需要。
為了提高藍光芯片+YAG熒光粉方法產(chǎn)生的白光LED的顯色指數(shù),可以通過引入發(fā)射峰值在490nm的硅基氮氧化物青色LED熒光粉、紫光LED芯片和發(fā)射峰值在630nm以上的硅基氮氧化物紅色LED熒光粉來彌補。
一般情況下,適當添加紅色熒光粉可以將顯色指數(shù)提高到80以上,再引入青色熒光粉可以得到高于90的顯色指數(shù),在此基礎(chǔ)上,增加紫光芯片可以得到全光譜的白光LED,顯色指數(shù)可以接近日光的100。
 
 
原因二、光致發(fā)光的能量損失
藍光LED芯片+熒光粉方法產(chǎn)生白光的一個關(guān)鍵物理過程是光致發(fā)光,即熒光粉將藍光其他波長的光。這個過程不可避免存在著能量的損失。這個損失包括三個部分:
一是熒光粉有低能級向高能級激發(fā)過程量子效率的損失,躍遷到高能級的粒子數(shù)少于吸收的藍光光子數(shù);
二是熒光粉由高能級向低能級躍遷時,存在著非輻射躍遷,引起的輻射發(fā)光量子效率的損失,發(fā)射的可見光子數(shù)目少于向低能級躍遷的光子數(shù)目;
三是單個藍光的光子能量高于熒光粉轉(zhuǎn)換后發(fā)射的長波長光子能量,在光子數(shù)相同的情況下,對應(yīng)的輻射通量較小。
第一、二兩種能量損失,損失的是光子數(shù)目,改進熒光粉的配方和制備工藝,提高熒光粉激發(fā)和發(fā)射兩個過程的量子效率,可以減少這兩部分的能量損失。
第三種能量損失是不同波長光子本身能量不同,這一點是光子的物理本質(zhì)所決定的,改變工藝無法減少這一部分的能量損失。在現(xiàn)在的白光LED中,上述三部分的損失大約占到藍光能量的20%-30%。
 
原因三、提高顯指的發(fā)光效率損失
使用藍光LED芯片+YAG熒光粉制作的白光LED具有較高的發(fā)光效率,一方面是得益于YAG熒光粉商業(yè)化的時間早,工藝和技術(shù)成熟度高,熒光粉激發(fā)和發(fā)射的量子效率都比較高,另一方面YAG熒光粉的發(fā)射波長峰值位于人眼視覺函數(shù)的峰值附近,流明效率高。青色和紅色熒光粉發(fā)射峰值遠離視覺函數(shù)的峰值,流明效率低。摻入青色和紅色熒光粉后,在顯色指數(shù)提高的同時,必須接受發(fā)光效率的下降。
一般情況下,顯色指數(shù)由70提高到80,發(fā)光效率會下降10-15%,顯色指數(shù)由80提高到90,發(fā)光效率會再下降10%左右。
 
原因四、界面處菲涅爾損耗
光子從LED芯片有源層(PN結(jié))發(fā)射到空氣中,需要透過芯片與封裝膠、封裝膠與空氣兩個界面,因為這兩個界面的兩側(cè)材料折射率存在差異,光透過這界面時,一部分光會反射回來,反射回來的的光中很大一部分會被吸收損耗掉。這一種界面反射光造成的損失稱為菲涅爾損耗。菲涅爾損耗的大小與界面兩側(cè)光學(xué)介質(zhì)的射射率大小和折射率差有關(guān),定量的分析非常復(fù)雜,一般情況下,折射率差越大,菲涅爾反射就越嚴重。
 
原因五、全反射損耗
當光由光密介質(zhì)射向光疏媒質(zhì)時,光的入射角大于某一個臨界值qc時,將在界面發(fā)生全反射,這個臨界值稱為全反射角。
LED芯片制造的材料是高折射率的半導(dǎo)體材料,折射率大于封裝膠和空氣的折射率,這樣在LED芯片和封裝膠的界面、封裝膠和空氣的界面都只有小于一定入射角的光線能夠穿過,這一部分光線形成了一個以全反射角為半角寬度的錐形,通常被形象地稱為光線的“逸出錐”。
藍光芯片的主要材料是GaN和藍寶石,典型折射率分別是2.45和1.78;封裝膠主要是環(huán)氧樹脂和硅膠,典型折射率分別是1.42和1.51;空氣的折射率近似為1。
由GaN入射至硅膠時,全反射臨界角為38.050;由GaN入射至空氣時,全反射臨界角為24.090;由藍寶石入射至硅膠時(對應(yīng)于倒裝封裝),全反射臨界角為58.030;由GaN入射至空氣時,全反射臨界角為34.180??梢钥闯鰪脑龃笕瓷渑R界角的角度看,倒裝技術(shù)也是有利于芯片光提取效率的提高。

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